Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007, том 10
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
Інший ID:
PACS 72.20.Dp, 78.35.+c
Посилання:
Calculation of electron mobility and effect
of dislocation scattering in GaN / J. Kundu, C.K. Sarkar, P.S. Mallick // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 1. — С. 1-3. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
Дата:
2007
Переглядів:
967
Завантажень:
624
Анотація:
The electron mobility of GaN has been obtained at various temperatures by the
relaxation time approximation method. The effect of dislocation scattering has also been
discussed and calculated alongwith other important scattering mechanisms in this
material. The results agree with other available experimental and theoretical data.
