Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур
90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные
возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят
квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины
длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные
предшественниками низкотемпературных фаз.
Досліджено спектр поглинання тонких плівок Rb₂ZnI₄ в області спектра 3–6 еВ і температур
90–290 К. Установлено, що сполучення відноситься до прямозонних діелектриків, низькочастотні екситонн
і збудження локалізовані в ZnI²⁻₄ структурних шарах кристалічних грат і носять квазідвовим
ірний характер. При T < 200 К у температурному ході спектрального положення і напівширини
довгохвильової екситонної смуги виявляються ефекти термічної пам'яті, які обумовлені попередниками
низькотемпературних фаз.
The absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films
is investigated in a spectral interval 3–6 eV at temperatures
90–290 K. It is established, that the compound
qualifies as a directband dielectric, the lowfrequency
exciton excitations are located in the
ZnI²⁻₄ structural layers of the crystal lattice and are
quasi-two-dimensional in nature. At T < 200 K the
temperature behavior of spectral position and halfwidth
of the low frequency exciton band shows the
effects of thermal memory caused by the predecessors
of low-temperature phases
