Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Милославский, В.К. |
|
dc.contributor.author |
Юнакова, О.Н. |
|
dc.contributor.author |
Коваленко, Е.Н. |
|
dc.date.accessioned |
2017-05-18T17:19:43Z |
|
dc.date.available |
2017-05-18T17:19:43Z |
|
dc.date.issued |
2008 |
|
dc.identifier.citation |
Экситонный спектр поглощения тонких пленок
Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0132-6414 |
|
dc.identifier.other |
PACS: 77.80.–e;77.80.Bh;78.40.–q |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116980 |
|
dc.description.abstract |
Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур
90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные
возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят
квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины
длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные
предшественниками низкотемпературных фаз. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Досліджено спектр поглинання тонких плівок Rb₂ZnI₄ в області спектра 3–6 еВ і температур
90–290 К. Установлено, що сполучення відноситься до прямозонних діелектриків, низькочастотні екситонн
і збудження локалізовані в ZnI²⁻₄ структурних шарах кристалічних грат і носять квазідвовим
ірний характер. При T < 200 К у температурному ході спектрального положення і напівширини
довгохвильової екситонної смуги виявляються ефекти термічної пам'яті, які обумовлені попередниками
низькотемпературних фаз. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films
is investigated in a spectral interval 3–6 eV at temperatures
90–290 K. It is established, that the compound
qualifies as a directband dielectric, the lowfrequency
exciton excitations are located in the
ZnI²⁻₄ structural layers of the crystal lattice and are
quasi-two-dimensional in nature. At T < 200 K the
temperature behavior of spectral position and halfwidth
of the low frequency exciton band shows the
effects of thermal memory caused by the predecessors
of low-temperature phases |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физика низких температур |
|
dc.subject |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
uk_UA |
dc.title |
Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Excitonic absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті