Development of ribbon ion beam source and transport system for industrial applications

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2008
→
Вопросы атомной науки и техники, 2008, № 5
→
Переглянути статтю

Development of ribbon ion beam source and transport system for industrial applications

Masunov, E.S. ; Polozov, S.M. ; Kulevoy, T.V. ; Kuibeda, R.P. ; Pershin, V.I. ; Petrenko, S.V. ; Seleznev, D.N. ; Shamailov, I.M. ; Sitnikov, A.L.

Інші назви: Розробка джерела і системи транспортування стрічкових іонних пучків для промислових цілей
Разработка источника и системы транспортировки ленточных ионных пучков для промышленных целей

Тема: Физика и техника ускорителей

Інший ID: PACS: 29.25.Ni, 61.72.Tt

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111482

Посилання: Development of ribbon ion beam source and transport system for industrial applications / E.S. Masunov, S.M. Polozov, T.V. Kulevoy, R.P. Kuibeda, V.I. Pershin, S.V. Petrenko, D.N. Seleznev, I.M. Shamailov, A.L. Sitnikov // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 5. — С. 64-67. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Дата: 2008

Завантажень: 356

Development of ribbon ion beam source and transport system for industrial applications

Анотація:

The design of ribbon ion source and transport system is discussed in this paper. This system is created at ITEP for ion beam implantation in semiconductor technology. The Bernas type ion sources are used for ribbon ion beam production. The periodic system of electrostatic lenses is proposed for intensive ion beam transport. The results of implanter component development are observing.

Розглядаються питання, пов'язані з розробкою стрічкового іонного пучка і системи транспортування. Система імплантації розробляється в ІТЕФ для імплантації іонного пучку у напівпровідники. Для одержання стрічкового іонного пучка використається джерело типу "Бернас". Для транспортування пучку запропоновано використати періодичну систему електростатичних лінз. Розглядаються результати розробки окремих частин імплантору.

Рассматриваются вопросы, связанные с разработкой ленточного ионного пучка и системы транспортировки. Система имплантации разрабатывается в ИТЭФ для имплантации ионного пучка в полупроводники. Для получения ленточного ионного пучка используется источник типа «Бернас». Для транспортировки пучка предложено использовать периодическую систему электростатических линз. Рассматриваются результаты разработки отдельных частей имплантора.

Показати повний запис статті