Development of ribbon ion beam source and transport system for industrial applications

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2008
→
Вопросы атомной науки и техники, 2008, № 5
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Masunov, E.S.
dc.contributor.author	Polozov, S.M.
dc.contributor.author	Kulevoy, T.V.
dc.contributor.author	Kuibeda, R.P.
dc.contributor.author	Pershin, V.I.
dc.contributor.author	Petrenko, S.V.
dc.contributor.author	Seleznev, D.N.
dc.contributor.author	Shamailov, I.M.
dc.contributor.author	Sitnikov, A.L.
dc.date.accessioned	2017-01-10T12:51:35Z
dc.date.available	2017-01-10T12:51:35Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Development of ribbon ion beam source and transport system for industrial applications / E.S. Masunov, S.M. Polozov, T.V. Kulevoy, R.P. Kuibeda, V.I. Pershin, S.V. Petrenko, D.N. Seleznev, I.M. Shamailov, A.L. Sitnikov // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 5. — С. 64-67. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1562-6016
dc.identifier.other	PACS: 29.25.Ni, 61.72.Tt
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111482
dc.description.abstract	The design of ribbon ion source and transport system is discussed in this paper. This system is created at ITEP for ion beam implantation in semiconductor technology. The Bernas type ion sources are used for ribbon ion beam production. The periodic system of electrostatic lenses is proposed for intensive ion beam transport. The results of implanter component development are observing.	uk_UA
dc.description.abstract	Розглядаються питання, пов'язані з розробкою стрічкового іонного пучка і системи транспортування. Система імплантації розробляється в ІТЕФ для імплантації іонного пучку у напівпровідники. Для одержання стрічкового іонного пучка використається джерело типу "Бернас". Для транспортування пучку запропоновано використати періодичну систему електростатичних лінз. Розглядаються результати розробки окремих частин імплантору.	uk_UA
dc.description.abstract	Рассматриваются вопросы, связанные с разработкой ленточного ионного пучка и системы транспортировки. Система имплантации разрабатывается в ИТЭФ для имплантации ионного пучка в полупроводники. Для получения ленточного ионного пучка используется источник типа «Бернас». Для транспортировки пучка предложено использовать периодическую систему электростатических линз. Рассматриваются результаты разработки отдельных частей имплантора.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Вопросы атомной науки и техники
dc.subject	Физика и техника ускорителей	uk_UA
dc.title	Development of ribbon ion beam source and transport system for industrial applications	uk_UA
dc.title.alternative	Розробка джерела і системи транспортування стрічкових іонних пучків для промислових цілей	uk_UA
dc.title.alternative	Разработка источника и системы транспортировки ленточных ионных пучков для промышленных целей	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA