Стаття присвячена комплексному дослідженню кристалічної структури та електрофізичних властивостей (питомий опор, температурний коефіцієнт опору) плівок молібдену. Розрахунок параметрів електроперенесення (середня довжина вільного пробігу носіїв струму в плівці, коефіцієнтів проходження і розсіювання на межі зерна) проводився на основі ізотропної моделі Тельє-Тоссе-Пішар та асимптотичних співвідношень моделі Ухлінова-Косаківської і теорії Майядаса-Шатцкеса.
Статья посвящена комплексному исследованию кристаллической структуры и электрофизических свойств (удельное сопротивление и температурный коэффициент сопротивления) пленок молибдена. Расчет параметров электропереноса (средней длины свободного пробега носителей тока в пленке, коэффициент прохождения и рассеивания на границе зерна) проводились на основе изотропной модели Телье-Тоссе-Пишар и асимптотических соотношений модели Ухлинова-Косаковской и теории Майядаса-Шатцкеса.
This article is devoted to complex research of crystal structure and electrophysical properties (resistivity and temperature coefficient of resistance) molybdenum films. Calculation of electro carry parameters (mean free path of electrons in film, the transmission and reflectivity coefficient at the grain boundary) isotropic model of Tellier-Tosser-Pichard and asymptotic expression Ukhlinov-Kosacivska model and Mayadas-Shatzkes theories.