Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент

Гаркавенко, А.С. ; Мокрицкий, В.А. ; Банзак, О.В. ; Завадский, В.А.

Інші назви: Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина друга: експеримент
Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment

Тема: Материалы электроники

УДК: 535.14:621.365.826

Інший ID: DOI: 10.15222/TKEA2014.2.51

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100466

Посилання: Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 51-56. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Дата: 2014

Завантажень: 293

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент

Анотація:

При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование.

При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. У цій статті наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування.

There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. This article describes an experimental study on the influence of high-current pulsed electron beams on the optical homogeneity of semiconductor GaAs and CdS crystals, confirming the theory put forward earlier.

Показати повний запис статті