Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент

dc.contributor.author	Гаркавенко, А.С.
dc.contributor.author	Мокрицкий, В.А.
dc.contributor.author	Банзак, О.В.
dc.contributor.author	Завадский, В.А.
dc.date.accessioned	2016-05-22T11:47:45Z
dc.date.available	2016-05-22T11:47:45Z
dc.date.issued	2014
dc.identifier.citation	Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 51-56. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.other	DOI: 10.15222/TKEA2014.2.51
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100466
dc.description.abstract	При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование.	uk_UA
dc.description.abstract	При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. У цій статті наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування.	uk_UA
dc.description.abstract	There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. This article describes an experimental study on the influence of high-current pulsed electron beams on the optical homogeneity of semiconductor GaAs and CdS crystals, confirming the theory put forward earlier.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент	uk_UA
dc.title.alternative	Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина друга: експеримент	uk_UA
dc.title.alternative	Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	535.14:621.365.826