Перегляд за автором "Семикина, Т.В."

Результати 1-4 з 4

Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения

Семикина, Т.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)

Разработаны и представлены технологические режимы, позволяющие получать ZnO пленки с концентрацией носителей порядка 10¹⁶–10¹⁷см⁻³ методом атомного послойного осаждения (АПО). Проанализированы зависимости концентрации ...
Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени

Бобренко, Ю.Н.; Шереметова, Г.И.; Семикина, Т.В.; Ярошенко, Н.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Изучены спектральные, вольт-фарадные и частотные характеристики поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶, перспективных для использования в ультрафиолетовых сенсорах пламени.
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

Бобренко, Ю.Н.; Ярошенко, Н.В.; Шереметова, Г.И.; Семикина, Т.В.; Атдаев, Б.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х ...
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS

Бобренко, Ю.Н.; Павелец, С.Ю.; Семикина, Т.В.; Шереметова, Г.И.; Ярошенко, Н.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Получены и исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd₀.₄Zn₀.₆S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет ...

Результати 1-4 з 4

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Семикина, Т.В."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Семикина, Т.В."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис