Леонов, Н.И.; Лемешевская, А.М.; Дудар, Н.Л.; Гетьман, С.Н.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
Определены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора.