Перегляд за автором "Курмашев, Ш.Д."

Результати 1-6 з 6

Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO₂-стекло"

Курмашев, Ш.Д.; Садова, Н.Н.; Лавренова, Т.И.; Бугаева Т.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Гомогенность порошков исходных материалов позволяет получить резистивные элементы с воспроизводимыми электрофизическими параметрами и высокой прочностью сцепления с подложкой.
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика

Курмашев, Ш.Д.; Викулин, И.М.; Ленков, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)

Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой ...
Метод защиты поверхности расплавленного припоя от окисления

Курмашев, Ш.Д.; Лавренова, Т.И.; Бугаёва, Т.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)

Разработаны смеси для защиты поверхности расплава припоя от окисления на основе глицерина, мочевины, порошков оксидов, карбидов (Al₂O₃, TiO₂, SiC), графита.
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев

Курмашев, Ш.Д.; Кулинич, О.А.; Брусенская, Г.И.; Веремьева, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)

Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10⁹—10¹² м⁻².
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением

Курмашев, Ш.Д.; Викулин, И.М.; Ленков, С.В.; Сидорец, Р.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)

Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных ...
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом

Викулин, И.М.; Курмашев, Ш.Д.; Сидорец, Р.Г.; Туманов, Ю.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)

Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает ...

Результати 1-6 з 6

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Курмашев, Ш.Д."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Курмашев, Ш.Д."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис