Перегляд за автором "Болтаева, Ш.Ш."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Болтаева, Ш.Ш.; Зоирова, Л.Х. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Предложена экспериментально-расчетная методика определения напряжений, падающих на каждом из переходов трехбарьерной структуры. Результаты могут быть использованы для оценки параметров структуры.
  • Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Юлдашев, Ш.Ш.; Болтаева, Ш.Ш. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа.