Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд за темою "Функциональная микро- и наноэлектроника"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за темою "Функциональная микро- и наноэлектроника"

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента 
    Ащеулов, А.А.; Гуцул, И.В.; Фотий, В.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Представлена конструкция устройства, предназначенного для регистрации излучения. Показана перспективность его использования в качестве безмодуляционного неселективного координатно-чувствительного приемника.
  • Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током 
    Добровольский, Ю.Г.; Ащеулов, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Кольцевая металлизация обратной стороны кристалла p–i–n-фотодиода на основе высокоомного кремния позволяет уменьшить темновой ток на порядок, при этом потери токовой монохроматической чувствительности на длине волны 1,06 ...
  • Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод 
    Добровольский, Ю.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур.
  • Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния 
    Попов, В.М.; Клименко, А.С.; Поканевич, А.П.; Шустов, Ю.М.; Гаврилюк, И.И.; Панин, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Исследованы электрически активные дефекты с локально повышенной проводимостью p-n-перехода и световой эмиссией. Показано, что по их концентрации можно контролировать качество солнечных батарей в процессе изготовления.
  • Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии 
    Гурбанниязов, М.А.; Курбанов, М.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Предложен способ определения коэффициента теплопроводности твердых тел в нестационарном режиме, методическая погрешность которого составляет не более 7%.
  • Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода 
    Бутенко, В.К.; Докторович, И.В.; Годованюк, В.Н.; Рюхтин, В.В.; Юрьев, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Рассмотрены проблемы, возникающие при определении эффективной площади фото чувствительного элемента фотодиодов по стандартизованной методике. Приведена методика с улучшенными метрологическими возможностями.
  • Методы минимизации энергопотребления при проектировании КМОП БИС 
    Белоус, А.И.; Мурашко, И.А.; Сякерский, В.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Представлены основные методы, позволяющие уменьшить величину рассеиваемой мощности на этапах проектирования КМОП БИС. Приведена классификация источников рассеиваемой мощности.
  • Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом 
    Ёдгорова, Д.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
  • Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора 
    Ёдгорова, Д.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Указаны пути выбора оптимальных рабочих напряжений, при которых полевой фототранзистор с управляющим р-n-переходом будет обеспечивать высокую фоточувствительность.
  • Микрополосковые электромагнитные кристаллы с низкоимпедансными неоднородностями 
    Назарько, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложены микрополосковые электромагнитные кристаллы на основе низкоимпедансных неоднородностей. Показано, что низкоимпедансные неоднородности обеспечивают существенное улучшение развязки сигналов по сравнению с традиционными ...
  • Микросборка на кремниевой плате для акселерометра 
    Спирин, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Рассмотрена конструкция и технология микросборки для акселерометра, выполненной на кремниевой плате с тремя уровнями коммутации и тонкопленочными резисторами на обеих ее поверхностях.
  • Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ 
    Ижнин, И.И.; Вакив, Н.М.; Ижнин, А.И.; Сыворотка, И.М.; Убизский, С.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Разработан макетный образец монолитного твердотельного микрочипового лазера с пассивной модуляцией добротности па основе Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ с применением метода жидкофазной эпитаксии.
  • Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Гиясова, Ф.А.; Назаров, Ж.Т. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.
  • Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности 
    Глауберман, М.А.; Егоров, В.В.; Канищева Н.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Рассмотрены модели магнитотранзисторов, которые не основываются на решении двумерного уравнения непрерывности для инжектированных носителей. Показано, что несоответствие этих моделей точной теории снимается при достаточно ...
  • Модель алмазного транзистора 
    Алтухов, А.А.; Зяблюк, К.Н.; Митягин, А.Ю.; Талипов, Н.Х.; Чучева, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Модель плавного затвора позволяет рассчитать характеристики полевых алмазных СВЧ-транзисторов по электрофизическим параметрам алмазной структуры с δ-легированным слоем и по геометрическим параметрам элементов транзистора.
  • Модель линии передачи для наноэлектроники 
    Нелин, Е.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Предложена новая модель для решения квантово-механических задач. В рамках этой модели получены аналитические выражения для резонансных параметров и характеристик типичных барьерных структур наноэлектроники.
  • Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками 
    Максименко, Л.С.; Мищук, О.Н.; Матяш, И.Е.; Сердега, Б.К.; Костин, Е.Г.; Полозов, Б.П.; Федорович, О.А.; Савинков, Г.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Исследованы алмазоподобные пленки, специально приготовленные при различных технологических условиях. Введен параметр ρ, называемый поляризационной разностью. Из спектральных характеристик параметра ρ обнаружено, что ...
  • Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона 
    Коган, Л.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Представлены разработанные в НПЦ ОЭП «ОПТЭЛ» мощные ИК-диоды с длиной волны излучения 805±10, 870±20 и 940±10 нм. Сила излучения узконаправленных диодов— до 4 Вт/ср в непрерывном режиме и до 100 Вт/ср в импульсном. Мощность ...
  • Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе 
    Каримов, А.В.; Джураев, Д.Р.; Ёдгорова, Д.М.; Рахматов, А.З.; Абдулхаев, О.А.; Каманов, Б.М.; Тураев, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Установленная взаимосвязь между током стабилизации и внешним сопротивлением, соединяющим исток с затвором, представляет интерес при разработке источников и ограничителей тока.
  • Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры 
    Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Гиясова, Ф.А.; Саидова, Р.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Исследованы характеристики двухсторонне чувствительных структур при воздействии излучения, определяемого областью собственного поглощения базовых областей. Структуры представляют интерес как бесшумные фотоприемники для ...