Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Физическая инженерия поверхности
→
Физическая инженерия поверхности, 2013 (том 11)
→
Физическая инженерия поверхности, 2013, № 2
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Гулямов, Г.
dc.contributor.author	Шарибаев, Н.Ю.
dc.contributor.author	Эркабоев, У.И.
dc.date.accessioned	2016-05-04T15:33:15Z
dc.date.available	2016-05-04T15:33:15Z
dc.date.issued	2013
dc.identifier.citation	Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1999-8074
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99825
dc.description.abstract	Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной зависимости ширины запрещенной зоны.	uk_UA
dc.description.abstract	Досліджено вплив зміни ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини забороненої зони в напівпровідниках. За допомогою чисельних експериментів, з використанням експериментальних результатів отримані графіки температурної залежності ширини забороненої зони.	uk_UA
dc.description.abstract	It is investigated influences of change of effective mass of carriers of charges on temperature dependence of width of the band gaps in semiconductors. By means of numerical experiments, with use of experimental results of a temperature drawing of temperature dependence of width of the band gaps.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физическая инженерия поверхности
dc.title	Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey	uk_UA
dc.title.alternative	Вплив ефективної маси густини станів на температурну залежність ширини забороненої зони у твердих розчинах p-Bi2-xSbxTe3-ySey	uk_UA
dc.title.alternative	Influence effective mass density of states at temperature dependence of band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	539.21: 621.315.592