Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры

Abstract

В настоящей работе приводятся результаты исследования интегральной фоточувствительности двухбарьерной p-n-m-структуры. Исследуемые структуры изготовлены выращиванием из жидкой фазы гетерослоя AlGaInAs р-типа проводимости толшиной 1 мкм на подложках nGaAs толшиной 350 мкм.

У цій роботі приводяться результати дослідження інтегральної фоточутливості двохбар’єрної p-n-m-структур. Досліджувані структури виготовлені вирощуванням з рідкої фази гетерошару AlGaInAs р-типу провідності товщиною 1 мкм на підкладках nGaAs товщиною 350 мкм.

The results of the research concerning the integral photosensitivity of 2-barrier p-n-m structure are given in the present work. Studied structures are prepared by hetero-layer AlGaInAs growing from the liquid phase with p type of conductivity and thickness of 1 mм on the substrates nGaAs with thickness of 350 mм.