Фізична кінетика перерозподілу точкових дефектів у опромінюваних кристалах

Abstract

Дано огляд літературних даних експериментальних спостережень самоорганізації дисипативних структур у кристалах під опроміненням. Розглянуто вплив опромінення на стійкість однорідного розподілу густини точкових дефектів та утворення ними дисипативних модульованих структур на поверхні та в об’ємі твердого тіла. Зазначено теоретичні підходи щодо опису умов утворення таких структур.

Literary review of experimental data concerned with the observation of the self-organization of dissipative structures in crystals under irradiation is presented. An influence of irradiation on the stability of the homogeneous distribution of density of point defects and the formation of their dissipative modulated structures on the surface and in the bulk of a solid is considered. Theoretical approaches to the describing of the conditions of formation of such structures are mentioned.

Обозреваются литературные данные экспериментальных наблюдений самоорганизации диссипативных структур в кристаллах при облучении. Рассмотрено влияние облучения на устойчивость однородного распределения плотности точечных дефектов и образования ими диссипативных модулированных структур на поверхности и в объёме твёрдого тела. Отмечены теоретические подходы к описанию условий образования таких структур.