Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов

Abstract

В данной обзорной работе изложены результаты по изучению электрофизических свойств диодов Шоттки (ДШ), изготовленных на основе различных металлических сплавов. Приведены результаты автора данной работы и других авторов по изменению свойств ДШ в зависимости от выбранных металлических составов и структур плёнок металла. При рентгенофазовом анализе исследуемых систем, — Ni–Ti, Pb–Sb, Al–Ni, TiB, — установлено, что основные сплавы при определённой пропорции компонентов имеют аморфную структуру, а остальные плёнки — поликристаллическую. Определены основные параметры ДШ в зависимости от состава и структуры изученных плёнок. Выяснены причины появления избыточного тока и других наблюдаемых эффектов вблизи температуры кристаллизации исследуемых аморфных металлических плёнок. Показано, что наблюдаемые при термоотжиге эффекты связаны с изменениями структуры аморфной плёнки металла при переходе в поликристаллическое состояние.

В даній оглядовій роботі викладено результати з вивчення електрофізичних властивостей діод Шотткі (ДШ), виготовлених на основі різноманітних металевих стопів. Наведено результати автора даної роботи та інших авторів стосовно зміні властивостей ДШ в залежності від обраних металевих складів і структур плівок металу. За рентґенофазової аналізи досліджуваних систем, — Ni–Ti, Pb–Sb, Al–Ni, TiB, — встановлено, що основні стопи при певній пропорції компонентів мають аморфну структуру, а інші плівки — полікристалічну. Визначено основні параметри ДШ в залежності від складу і структури вивчених плівок. З’ясовано причини появи надлишкового струму та інших спостережуваних ефектів поблизу температури кристалізації досліджуваних аморфних металевих плівок. Показано, що спостережувані за термовідпалу ефекти пов’язані зі змінами структури аморфної плівки металу при переході в полікристалічний стан.

In a given article, results on electrophysical properties of the Schottky diodes (HCD) fabricated of different metal alloys are reviewed. Results of author of a given review as well as other authors on the change of HCD properties depending on the chosen metal compositions and structures of metal films are presented. As revealed from X-ray diffraction analysis of the Ni–Ti, Pb–Sb, Al–Ni, TiB systems investigated, the main alloys have the amorphous structure at a certain proportion of components, while other films have the polycrystalline structure. Critical parameters of HCD depending on the composition and structure of the studied films are determined. The reasons of excess current and other observed effects near the crystallisation temperature of the investigated amorphous metal films are ascertained. As shown, the effects observed at the thermal annealing are concerned with the changes in the structure of metallic amorphous film during transition into polycrystalline state.