Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Современная электрометаллургия
→
Современная электрометаллургия, 2009
→
Современная электрометаллургия, 2009, № 3
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Егоров, С.Г.
dc.contributor.author	Червоный, И.Ф.
dc.contributor.author	Воляр, Р.Н.
dc.date.accessioned	2016-03-08T20:58:02Z
dc.date.available	2016-03-08T20:58:02Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии / С.Г. Егоров, И.Ф. Червоный, Р.Н. Воляр // Современная электрометаллургия. — 2009. — № 3 (96). — С. 36-39. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0233-7681
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96009
dc.description.abstract	Исследован процесс выращивания монокристаллов кремния способом индукционной бестигельной зонной плавки с применением подогревающего индуктора. При помощи математического моделирования установлены параметры электромагнитного поля подогревающего индуктора и определены условия, при которых электромагнитное поле подогревающего индуктора оказывает влияние на условия выращивания монокристаллов.	uk_UA
dc.description.abstract	Process of growing single crystals of silicon by the method of induction crucible-free zonal melting with use of preheating inductor was investigated. Using the mathematical modeling, the parameters of electromagnetic field of phreheating inductor were established and conditions, at which the electromagnetic field of preheating inductor has an influence on the conditions of single crystal growing, were defined.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Современная электрометаллургия
dc.subject	Вакуумно-индукционная плавка	uk_UA
dc.title	Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии	uk_UA
dc.title.alternative	Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	669.187.58