Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂

Abstract

Теоретично розглянуто явище дегiбридизацiї для iнтерметалiчних iзоструктурних сполук ряду RAl₂Si₂ (R — Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показано фiзичну природу виникнення δ-подiбного пiка, величина якого пропорцiйна кiлькостi вузлiв (N), утворених структурними елементами R−Si. У порiвняннi з одиничною домiшкою величина δ-подiбного пiка зростає в N разiв. Це зумовлено тим, що орбiталi R−Si вiдiграють роль електронних дефектiв, перiодично розташованих у межах всiєї кристалiчної решiтки. Проведенi експериментальнi й теоретичнi дослiдження показали високу ступiнь кореляцiї та самоузгодженостi, що дозволяє розглядати атомнi зв’язки R−Si як своєрiднi електроннi дефекти, сильно збурюючи електронну систему сполук ряду RAl₂Si₂. Таке збурення проявляється у виникненнi iнтенсивних резонансних пiкiв електронних станiв, якi формуються у валентнiй зонi дослiджуваних интерметалiдiв в результатi дiї дегiбридизацiйного фактора.

Теоретически рассмотрено явление дегибридизации для интерметаллических изоструктурних соединений ряда RAl₂Si₂ (R Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показана физическая природа возникновения δ-образного пика, величина которого пропорциональна количеству узлов (N), образованных структурными элементами R−Si. По сравнению с единичной примесью величина δ-образного пика возрастает в N раз. Это обусловлено тем, что орбитали R−Si играют роль электронных дефектов, периодически расположенных в пределах всей кристаллической решетки. Проведенные экспериментальные и теоретические исследования показали высокую степень корреляции и самосогласованности, что позволяет рассматривать атомные связи R−Si как своеобразные электронные дефекты, сильно возмущающие электронную систему соединений ряда RAl₂Si₂. Такое возмущение проявляется в возникновении интенсивных резонансных пиков электронных состояний, формирующихся в валентной зоне изучаемых интерметаллидов в результате действия дегибридизационного фактора.

The theoretical consideration of the dehybridization phenomenon for intermetallic isostructural compounds of the RAl₂Si₂ (R Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb) row has been performed. The physical nature of the occasion of a δ-like hump, value of which is proportional to the number of lattice sites N formed by R−Si structural elements, is clarified. In comparison with a single admixture, the value of δ-like hump is more by N times. This is caused by that the orbitals R−Si play the role of electronic defects, which are periodically located in the frame of the crystal. The performed theoretical and experimental investigations show a great degree of correlation and self-consistency. This gives possibility to view R−Si bonds as specific electronic defects, which strongly perturb the electronic system of RAl₂Si₂ compounds. Such perturbation is displayed in arising the intense resonance humps of electronic states, which are formed in the valence zone of the intermetallids under study as a result of the dehybridization factor action.