Константи рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення в CdTe

Abstract

Розраховано константи рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення в CdTe методом термодинамічних потенціалів. Проведено моделювання структури точкових дефектів методом квазіхімічних реакцій дефектоутворення. З використанням уточнених значень констант визначено залежності концентрації вільних носіїв заряду та переважаючих точкових дефектів від технологічних умов отримання кристалу.

Рассчитаны константы равновесия квазихимических реакций дефектообразования в CdTe методом термодинамических потенциалов. Проведено моделирование структуры точечных дефектов методом квазихимических реакций дефектообразования. С использованием уточненных значений констант установлены зависимости концентрации свободных носителей заряда и преобладающих точечных дефектов от технологических условий получения кристалла.

The constants of equilibrium of quasichemical reactions of defects creation in CdTe are calculated by the method of thermodynamics potentials. The structure of point defects is modeling by the method of quasichemical reactions of defects creation. Dependences of concentration of free transmitters of charge and prevailing point defects from technological factors are calculated with the use of the specified values of constants.