Double magnetron cluster set-up for synthesis of micro and nano structure coatings

Abstract

In the present paper, the results studying the technological regimes of reactive magnetron sputtering in cluster set-up with two planar magnetrons, plasma source and medium energy ion source are presented. Magnetron current-voltage characteristics as well as dependencies of the magnetron current, voltage and the total pressure in the chamber on the reactive gas flow are presented with emphasis on the features of the joint work of the two magnetrons with targets of different materials using different reactive gases. The technological “window” is determined on the basis of the measured characteristics.

Представлены результаты исследования технологических режимов реактивного магнетронного напыления в кластерной установке с двумя плоскими магнетронами и источником плазмы. Представлены ВАХ магнетронов, а также зависимости тока и напряжения магнетрона и давления в камере от потока реактивного газа с акцентом на особенностях совместной работы двух магнетронов с мишенями из различных материалов. На основании измеренных характеристик определено оптимальное "технологическое окно".

Представлені результати дослідження технологічних режимів реактивного магнетронного напилювання в кластерній установці з двома плоскими магнетронами і джерелом плазми. Представлено ВАХ магнетронів, а також залежності струму і напруги магнетрона та тиску в камері від потоку реактивного газу з акцентом на особливостях спільної роботи двох магнетронів з мішенями з різних матеріалів. На базі виміряних характеристик визначено оптимальне "технологічне вікно".