Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника

Abstract

В наближенні діелектричного формалізму при відсутності безпосереднього контакту напівпровідник–метал та зовнішньої напруги для несиметричної за об’ємними та поверхневими характеристиками «напівпровідник–вакуум–метал» (НВМ) системи розраховано потенціал їх взаємодії, який враховує відмінності в об’ємних властивостях кожного з трьох середовищ, зарядовий стан поверхонь напівпровідника і металу та їх мікроскопічну структуру. Неперервність потенціалу сил зображення і, відповідно, сумарного потенціалу та єдиний (вакуумний) рівень відліку енергії в НВМ системі забезпечується коректним урахуванням просторової дисперсії функцій діелектричної проникності напівпровідника та металу.

В приближении диэлектрического формализма, при отсутствии непосредственного контакта полупроводник–металл и внешнего напряжения для несимметричной по объемным и поверхностным характеристикам системы полупроводник–вакуум–металл (ПВМ) рассчитан потенциал их взаимодействия, который учитывает различия в объемных свойствах каждой из трех сред, зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла, а также их микроскопическую структуру. Непрерывность потенциала сил изображения и, соответственно, суммарного потенциала и единый (вакуумный) уровень отсчета энергии в ПВМ системе обеспечивается корректным учетом пространственной дисперсии функций диэлектрического проникновения полупроводника и металла.

Within the framework of dielectric formalism in absence of direct semiconductor-metal contact and external tension, the interaction potential has been calculated in the system with asymmetric bulk and surface characteristics of semiconductor-vacuum-metal (SVM) system taking into account distinctions in bulk properties of all three media, the charge status of semiconductor and metal surfaces as well as their microscopic structures. The continuity of image forces and respectively that of total potential as well as an unique (vacuum) level of energy scale in the SVM system are provided by correct counting spatial dispersion in the permittivity functions for both semiconductor and metal.