Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий

Abstract

В ННЦ ХФТИ (г. Харьков) разработан метод активации рабочего газа с помощью тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмаза из газовой фазы. Этот метод обладает рядом преимуществ по сравнению с другими существующими методами: СВЧ-методом, различными типами дуговых разрядов и методом "горячей нити". Тлеющий разряд, стабилизированный магнитным полем, позволяет наносить покрытия на большие поверхности (до 50 см диаметром), получать достаточно высокую скорость роста алмазных покрытий и обладает низким уровнем примесей. Представлены результаты исследований, проведенных на установке с уровнем мощности, вводимой в разряд, около 5 кВт и диаметром подложкодержателя 5 см. Скорость роста алмазного покрытия достигала 3 мкм/ч.

В ННЦ ХФТІ (м. Харків) розроблений метод активації робочого газу за допомогою тліючого розряду, стабілізованого магнітним полем, для синтезу алмаза з газової фази. Цей метод має низку переваг у порівнянні з іншими існуючими методами: СВЧ-методом, різними типами дугових розрядів і методом "гарячої нитки". Тліючий розряд, стабілізований магнітним полем, дозволяє наносити покриття на великі поверхні (до 50 см діаметром), одержувати досить високу швидкість росту алмазних покрить і має низький рівень домішок. Представлені результати досліджень, проведених на установці з рівнем потужності, що вводиться в розряд, близько 5 кВт і діаметром підкладки 5 см. Швидкість росту алмазного покриття досягала 3 мкм/год.

In NSC KIPT (Kharkov) the method of working gas activation with the help of the glow discharge stabilized by a magnetic field for the synthesis of diamond from a 172 gas phase is developed. This method has a number of advantages in comparison with other existing methods: microwave method, different types of arc discharges and method of "hot filament". The glow discharge stabilized by a magnetic field allows to deposit coatings on large surfaces (up to 50 cm in diameter), to obtain sufficiently high growth rate of diamond coatings and has low level of impurities. In the given article the outcomes of researches performed on the setup with a power entered in discharge about 5 kW and substrateholder diameter 5 cm are presented. The growth rate of diamond coating reached 3 µm/h.