Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2005
→
Вопросы атомной науки и техники, 2005, № 6
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Maslov, N.I.
dc.contributor.author	Potin, S.M.
dc.contributor.author	Starodubtsev, A.F.
dc.date.accessioned	2015-05-13T17:38:17Z
dc.date.available	2015-05-13T17:38:17Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector / N.I. Maslov, S.M. Potin, A.F. Starodubtsev // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 6. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1562-6016
dc.identifier.other	PACS: 29.40.Wk
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81227
dc.description.abstract	The results of studying the ohmic side of the double-sided microstrip detectors (DSMD) possessing the diode separating p⁺ stop structure of different type and size are presented. The effect of the p⁺ stop structure on the DSMD interstrip resistance and interstrip capacitance is considered.	uk_UA
dc.description.abstract	Представлено результати дослідження омічної сторони двосторонніх мікрострипових детекторів (ДСМД), які мають діодну розділяючу p⁺ стоп-структуру різного типу та розміру. Розглянуто вплив p⁺ стоп-структури на міжстрипову ємність та міжстриповий опір ДСМД.	uk_UA
dc.description.abstract	Представлены результаты исследования омической стороны двухсторонних микростриповых детекторов (ДСМД), имеющих диодные разделяющие p⁺ стоп-структуры различных типов и размера. Рассмотрено влияние p⁺ стоп-структуры на межстриповую емкость и межстриповое сопротивление ДСМД.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Вопросы атомной науки и техники
dc.subject	Экспериментальные методы и обработка даных	uk_UA
dc.title	Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector	uk_UA
dc.title.alternative	Дослідження електрофізичних характеристик детектуючих елементів на омічній стороні кремнієвого мікрострипового детектора	uk_UA
dc.title.alternative	Исследование электрофизических характеристик детектирующих элементов на омической стороне кремниевого микрострипового детектора	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA