Получение магния высокой чистоты и исследование температурной зависимости его электрического сопротивления

Abstract

Методом многократной вакуумной дистилляции (возгонки) получен высокочистый магний с рекордно низким электросопротивлением, которое при 4,65 К составляет 0,00295 мкОм·см. Изучена температурная зависимость электросопротивления чистого магния в области 4,5…300 К и проведено сравнение полученных результатов с литературными данными. Для магния достигнута величина β = ρ300К/ρ4,2К = 1770 (исх. β = 56), вдвое превышающая ранее достигнутую β = 840.

Методом багаторазової вакуумної дистиляції отримано високочистий магній з рекордно низьким електричним опором, який при 4,65 К становить 0,00295 мкОм·см. Вивчена температурна залежність електричного опору чистого магнію в області 4,5…300 К і проведено порівняння отриманих результатів з літературними даними. Для магнію отримано значення β = ρ300К/ρ4,2К = 1770 (вих. β = 56), вдвічі більше в порівнянні з раніше досягнутим β = 840.

High-purity magnesium having record low electrical resistance have been obtained by method of multi-stage vacuum distillation. It is equal to 0.00295 μΩ·cm at 4.65 K. The temperature dependence of the resistivity of pure magnesium at 4.5…300 K has been studied and received results have been compared with published data. The pure magnesium have β = ρ300К/ρ4.2К = 1770, that is twice more in comparison with earlier received: β = 840.