В гетероструктуре р-CdTe-SiO2-Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической спектральной памяти – наличие ассиметричных микропотенциальных барьеров и глубоких ловушек. Время релаксации около 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную спектральную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.
У гетероструктурі р-CdTe-SiO2-Si легко реалізуються необхідні умови для існування оптичної спектральної пам’яті – наявність асиметричних мікропотенційних бар’єрів і глибоких уловлювачів. Час релаксації близько 25 діб. Гетероструктуру можна використовувати як оптоелектронну спектральну комірку пам’яті, здатну не тільки запам’ятовувати сигнали, але й підсумувати їх.
In heterestructure р-CdTe-SiO2-Si it is easily realized necessary conduction for existence of optical spectral memory presence asymmetric micro potential barriers and deep equations. Time of a relaxation which happens about 25 days. Heterestructure it is possible to use as opto – electronic memory capable not only to remember signals, but also to summarize them.