Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Dovbnya, A.N. |
|
dc.contributor.author |
Maslov, N.I. |
|
dc.contributor.author |
Dovbnya, N.A. |
|
dc.date.accessioned |
2015-03-30T08:32:03Z |
|
dc.date.available |
2015-03-30T08:32:03Z |
|
dc.date.issued |
2001 |
|
dc.identifier.citation |
Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs / A.N. Dovbnya, N.I. Maslov, N.A. Dovbnya // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 3. — С. 164-166. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1562-6016 |
|
dc.identifier.other |
PACS numbers: 29.40.Wk |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79269 |
|
dc.description.abstract |
A possibility of full irradiation tests of semiconductor detectors and microelectronics using electron accelerators are considered in the present work. The techniques for irradiation and for detector tests were described. The data on the efficiency of electron and bremsstrahlung action on the Si bulk material are presented. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Вопросы атомной науки и техники |
|
dc.title |
Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Исследование стойкости к излучению Si детекторов и микроэлектроники с использованием линейных ускорителей ННЦ ХФТИ |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті