Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Dovbnya, A.N.
dc.contributor.author Maslov, N.I.
dc.contributor.author Dovbnya, N.A.
dc.date.accessioned 2015-03-30T08:32:03Z
dc.date.available 2015-03-30T08:32:03Z
dc.date.issued 2001
dc.identifier.citation Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs / A.N. Dovbnya, N.I. Maslov, N.A. Dovbnya // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 3. — С. 164-166. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1562-6016
dc.identifier.other PACS numbers: 29.40.Wk
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79269
dc.description.abstract A possibility of full irradiation tests of semiconductor detectors and microelectronics using electron accelerators are considered in the present work. The techniques for irradiation and for detector tests were described. The data on the efficiency of electron and bremsstrahlung action on the Si bulk material are presented. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Вопросы атомной науки и техники
dc.title Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs uk_UA
dc.title.alternative Исследование стойкости к излучению Si детекторов и микроэлектроники с использованием линейных ускорителей ННЦ ХФТИ uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис