Angular distributions of gamma-radiation of 1.2 GeV electrons in silicon monocrystals of great thickness

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2001
→
Вопросы атомной науки и техники, 2001, № 5
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Bochek, G.L.
dc.contributor.author	Fomin, S.P.
dc.contributor.author	Kulibaba, V.I.
dc.contributor.author	Lapko, V.P.
dc.contributor.author	Maslov, N.I.
dc.contributor.author	Shramenko, B.I.
dc.contributor.author	Shul’ga, N.F.
dc.date.accessioned	2015-03-24T18:53:48Z
dc.date.available	2015-03-24T18:53:48Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Angular distributions of gamma-radiation of 1.2 GeV electrons in silicon monocrystals of great thickness / G.L. Bochek, S.P. Fomin, V.I. Kulibaba, V.P. Lapko, N.I. Maslov, B.I. Shramenko, N.F. Shul’ga // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 5. — С. 211-213. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1562-6016
dc.identifier.other	PACS numbers: 29.25.-t
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79033
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Вопросы атомной науки и техники
dc.title	Angular distributions of gamma-radiation of 1.2 GeV electrons in silicon monocrystals of great thickness	uk_UA
dc.title.alternative	Спектрально-угловые распределения гамма-излучения электронов с энергией 1,2 ГэВ в монокристаллах Si большой толщины	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA