Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Акбаров, К. | |
| dc.contributor.author | Абдулхамидов, А. | |
| dc.contributor.author | Алимов, Н. | |
| dc.contributor.author | Отажонов, С.М. | |
| dc.contributor.author | Шмарова, М. | |
| dc.date.accessioned | 2010-04-19T14:41:27Z | |
| dc.date.available | 2010-04-19T14:41:27Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.identifier.citation | Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями / К. Акбаров, А. Абдулхамидов, Н. Алимов, С.М. Отажонов, М. Шмарова // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1999-8074 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7860 | |
| dc.description.abstract | Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). При этом повышено эффективность собирания излучения люминофора на 80%. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Створено перспективну пару напівпровідників CdTe-ZnSe, у якій, крім прямої передачі світлових сигналів, буде забезпечене нагромадження зарядів. Фотодетектор даного типу буде працювати без зовнішнього джерела, якщо полікристалічний шар CdTe буде володіти аномально великою фотонапругою (АФН). При цьому підвищено ефективність збирання випромінювання люмінофора на 80%. | uk_UA |
| dc.description.abstract | It is created perspective couple of CdTe-ZnSe semiconductors, in which charge accumulation will be provided, expert light signals direct transimition. This photodetector will work with out an external source, if polycrystall CdTe film has anomal large photoresistance (APV), besides the effectivity of luminophor irradiation gathering up to 80 % is increased. | uk_UA |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України | uk_UA |
| dc.title | Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями | uk_UA |
| dc.title.alternative | Стимулювання аномальної фотонапруги під дією зовнішнього електричного поля в нанокристалічних структурах на основі CdTe-ZnSe із глибокими примісними рівнями | uk_UA |
| dc.title.alternative | Stimulation anomalous photoresistance under action external electric field in nanocrystalline structure CdTe-ZnSe with deep impurity levels | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.identifier.udc | 621.315.593 |
