Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Физическая инженерия поверхности за автором "Абдулхаев, О.А."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Физическая инженерия поверхности за автором "Абдулхаев, О.А."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Абдулхаев, О.А.; Асанова, Г.О.; Ёдгорова, Д.М.; Якубов, Э.Н.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2011)
    Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие ...
  • Абдулхаев, О.А.; Асанова, Г.О.; Гиясова, Ф.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.А.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2011)
    На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления ...
  • Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Якубов, Э.Н.; Юлдашев, Ш.Ш.; Тураев, А.А. (Физическая инженерия поверхности, 2012)
    Приведены результаты исследования динамической модуляции канала полевого транзистора с помощью второго последовательно соединенного к истоку полевого транзистора выполняющего функцию двойного затвора за счет управляемого ...
  • Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А. (Физическая инженерия поверхности, 2015)
    Экспериментально показано, что германиевые p⁺np- и кремниевые n⁺⁺pnn⁺-структуры в режиме запирания перехода со слаболегированной областью выполняют функцию биполярного транзистора с соответствующим рабочим диапазоном и ...
  • Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Каманов, Б.М.; Гиясова, Ф.А. (Физическая инженерия поверхности, 2012)
    Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении ...
  • Абдулхаев, О.А.; Гиясова, Ф.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каманов, Б.М.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)
    Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении ...
  • Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А. (Физическая инженерия поверхности, 2014)
    В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис