Перспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украины

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2000
→
Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 4
→
Переглянути статтю

Перспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украины

Грибанов, Ю.А. ; Рингис, В.С. ; Скоромный, В.Г. ; Кутний, В.Е. ; Рыбка, А.В. ; Шляхов, И.Н.

Тема: Облучательная техника, ядерно-физические методы исследования структуры и свойств твердых тел

УДК: 621.039.564

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78198

Посилання: Перспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украины / Ю.А. Грибанов, В.С. Рингис, В.Г. Скоромный, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка, И.Н. Шляхов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 203-207. — рос.

Дата: 2000

Завантажень: 417