В данной работе приводятся результаты исследований формирования изображений в инфракрасной области спектра в полупроводниковой ионизационной камере. Анализируется теоретическое и экспериментальное пороговые значения мощности излучения. Результаты исследования используются для разработки нового класса фотографической камеры, общий вид которой, показан в данной статье. Впервые сообщается о том, что в полупроводниковой ионизационной камере возможно эксплуатация монокристаллических полупроводников на основе тройных соединений. Это позволяет создать прибори ночного видения и пространственно-временной диагностический прибор для исследования радиационных излучений с “know-how”.
У даній роботі приводяться результати досліджень формування зображень в інфрачервоній області спектра в напівпровідниковій іонізаційній камері. Аналізуються теоретичні та експериментальні граничні значення потужності випромінювання. Результати дослідження використовуються для розробки нового класу фотографічної камери, загальний вид якої, наведений у даній статті. Уперше повідомляється про те, що в напівпровідниковій іонізаційній камері можлива експлуатація монокристаллічних напівпровідників на основі потрійних з’єднань. Це дозволяє створити прилади нічного бачення та просторово-часовий діагностичний прилад для дослідження радіаційних випромінювань із “know-how”.
The results of the studies of formation of images in infrared area of the spectrum in ionization camera are given in this work. Theoretical and experimental radiation cut – off are also analyzed. The results of the researches come to the development of the new class of the photocamera. General type of this camera is given in this article. The usage of monocrystal semiconductors on the base of the triple conjunctions in semiconductor ionization camera is stated for the first time. It gives us the possibility to create the devices for night vision, and space – time diagnostic instruments to study radiation with “know-how”.
