Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes

Abstract

The relaxation dynamics of the exciton resonances in the layer InxTl1−xI semiconductor for its transition from bulk crystals to the quantum-size nanocrystals synthesised within the different matrices is analysed. The mordenitetype (Na-MOR)Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O zeolite, beryl and porous silicon are used as matrices. As experimentally shown, the size-effects’ influence affect the parameters of the band-to-band transitions and the genesis of exciton states in substitutional solid solution of InxTl1−xI.

На прикладі шаруватого напівпровідника InxTl1−xI проаналізовано динаміку релаксації екситонних збуджень при переході від блочних монокристалів до нанокристалів, синтезованих у ріжних матрицях, таких як поруватий кремній, берил та природній цеоліт Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O (морденіт). Експериментально виявлено вплив розмірного квантування на параметри зона-зонних переходів, а також генезис екситонних станів твердих розчинів заміщення InxTl1−xI.

На примере слоистого полупроводника InxTl1−xI проанализирована динамика релаксации экситонных возбуждений при переходе от блочных монокристаллов к нанокристаллам, синтезированным в разных матрицах, таких как пористый кремний, берилл и цеолит Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O (морденит). Экспериментально выявлено влияние размерного квантовния на параметры зона-зонных переходов, а также генезис экситонных состояний твердых растворов замещения InxTl1−xI.