Особливості магнітостимульованої зміни поверхневого електричного потенціалу в кристалах кремнію, що використовуються для потреб сонячної енергетики та мікроелектроніки

Abstract

В роботі шляхом локальних вимірів фото-ерс і побудови мап розподілу поверхневого електричного потенціалу визначено характер магнітостимульованих змін у часі життя носіїв заряду в кристалах кремнію для сонячної енергетики та мікроелектроніки. Особливості в прояві виявлених магніточутливих ефектів пов’язуються з відмінностями в домішковому складі та з відмінностями в перебігу викликаних магнітним впливом міждефектних перетворень у кристалах «сонячного» кремнію та кремнію для мікроелектроніки.

The character of magnetostimulated changes in lifetime of carriers in silicon crystals for solar energetics and microelectronics is determined by local photo-emf measurements and plotting the maps of the distribution of surface electrical potential. The features of magnetosensitive effects are associated with differences in impurity composition and differences in behaviour of interdefect transformations caused by the magnetic influence in crystals of ‘solar’ silicon and silicon for microelectronics.

В работе путём локальных измерений фото-эдс и построения карт распределения поверхностного электрического потенциала определён характер магнитостимулированных изменений во времени жизни носителей заряда в кристаллах кремния для солнечной энергетики и микроэлектроники. Особенности в проявлении выявленных магниточувствительных эффектов связываются с различиями в примесном составе и с различиями в протекании вызванных магнитным влиянием междефектных преобразований в кристаллах «солнечного» кремния и кремния для микроэлектроники.