Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини

Abstract

В умовах надвисокого вакууму (тиск залишкових газів P ≤ 10⁻⁷ Па) досліджено вплив морфології плівок міді, нанесених на поверхню скла, покриту підшаром кремнію масовою товщиною dSi ≤ 5 нм, на особливості розмірних залежностей електропровідности плівок. Результати експерименту кількісно описано з використанням сучасних квазикласичних та квантової теоретичних моделей явищ перенесення заряду в зразках обмежених розмірів. Встановлено наявність кореляції між особливостями будови плівок і перколяційними процесами у виникненні електропровідности плівок.

The influence of surface morphology of thin copper films deposited under high-vacuum condition on silicon underlayers on transport phenomenon is investigated. Experimental data of size dependences of electron transport in copper films are quantitatively explained within the scope of the contemporary theories of size effects in restricted systems. The correlation between features of thin-film structure and percolation processes in electron transport is revealed.

В условиях сверхвысокого вакуума (давление остаточных газов P ≤ 10⁻⁷ Па) исследовано влияние морфологии плёнок меди, сформированных на поверхности стекла, предварительно покрытой подслоем кремния массовой толщиной dSi ≤ 5 нм, на характеристики размерных зависимостей электропроводности плёнок. Результаты эксперимента количественно описаны с помощью современных квазиклассических и квантовой теоретических моделей явлений переноса заряда в образцах ограниченных размеров. Обнаружено наличие корреляции между особенностями строения плёнок и перколяционными процессами появления электропроводности плёнок.