Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами

Домашня сторінка
→
Видання регіональних наукових центрів
→
Західний науковий центр
→
Праці наукового товариства ім. Шевченка
→
Праці наукового товариства ім. Шевченка, 2011
→
Праці наукового товариства ім. Шевченка, 2011, том 8
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Пелещак, Р.
dc.contributor.author	Данньків, О.
dc.contributor.author	Кузик, О.
dc.date.accessioned	2015-01-28T21:57:00Z
dc.date.available	2015-01-28T21:57:00Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.citation	Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами / Р. Пелещак, О. Даньків, О. Кузик // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 361-372. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.	uk_UA
dc.identifier.issn	1563-3569
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75363
dc.description.abstract	The computational method of current voltage characteristics of metal undoped semiconductor (i) - doped semiconductor substrate (n)+ structure with clusters of defects is described. The offered method permits to take into account the elastic deformations near the defect deformation structures and the deformations caused by a mismatch of crystal lattices of contacting semiconductor materials.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Західний науковий центр НАН України і МОН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Праці наукового товариства ім. Шевченка
dc.subject	Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"	uk_UA
dc.title	Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами	uk_UA
dc.title.alternative	Мodelling of current-voltage characteristics of structure metal-i-n⁺ with the self-organized nanoclusters	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA