Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Николаенко, В.А.
dc.contributor.author Смородин, А.В.
dc.date.accessioned 2015-01-26T19:54:35Z
dc.date.available 2015-01-26T19:54:35Z
dc.date.issued 2011
dc.identifier.citation Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности / В.А. Николаенко, А.В. Смородин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 4. — С. 795-799. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1816-5230
dc.identifier.other PACS numbers: 67.25.-k, 67.30.-n, 67.80.-s, 73.20.-r, 73.25.+i, 73.90.+f, 85.30.De
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75147
dc.description.abstract В работе используется квазиодномерная система поверхностных электронов (ПЭ) над сверхтекучим гелием в качестве классической модели твердотельного квантового проводника. Выполнены экспериментальные исследования кинетики поведения электронов в узких каналах в присутствии заряда на подложке. Ход температурной зависимости в этих условиях имеет ступенчатый характер при температуре ниже 1,3 К, и параметры ступеней в различных опытах отличаются. Подобный характер зависимости не описывается классическими моделями переноса заряда, где учитывается рассеяние электронов в каналах на атомах гелия в паре и рипплонах. Предполагается, что подобная зависимость является проявлением квантового характера переноса в электронных каналах. uk_UA
dc.description.abstract У статті використовується квазиодновимірна система поверхневих електронів (ПЕ) над надплинним гелієм у якості класичного моделю твердотільного напівпровідника. Виконано експериментальні дослідження кінетики поведінки електронів у вузьких каналах у присутності заряду на підложжі. Хід температурної залежности в цих умовах має східчастий характер за температури нижче 1,3 К; параметри сходів у різних випробуваннях є різними. Подібний характер залежности не описується класичними моделями переносу заряду, де враховується розсіяння електронів у каналах на атомах гелію в парі та риплонах. Вважається, що така залежність є виявленням квантового характеру переносу в електронних каналах. uk_UA
dc.description.abstract Quasi-one-dimensional system of the surface electron (SE) over superfluid helium is used as a classical model for a solid-state quantum conductor. Experimental investigations of electron kinetics in narrow channels in the presence of charge on the substrate are carried out. The course of temperature dependence under such conditions demonstrates stepwise behaviour at temperatures lower than 1.3 K, and parameters of steps in different experiments are varying. Classical models of charge transfer do not describe a similar character of this dependence, when electrons scattering in channels on atoms of helium in steam and ripplons is considered. It is supposed that such dependence demonstrates quantum behaviour of charge transfer in electronic channels. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
dc.title Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис