Напівпровідникові гетероструктури

Домашня сторінка
→
Загальнонаукова періодика
→
Вісник Національної академії наук України
→
Вісник НАН України, 2001
→
Вісник НАН України, 2001, № 07
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Алфьоров, Ж.
dc.date.accessioned	2014-12-27T15:28:52Z
dc.date.available	2014-12-27T15:28:52Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Напівпровідникові гетероструктури / Ж. Алфьоров // Вісн. НАН України. — 2001. — № 7. — С. 16-22. — укр.	uk_UA
dc.identifier.issn	0372-6436
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/72662
dc.description.abstract	20 лютого цього року в Києві перед великою науковою аудиторією виступив з нобелівською лекцією відомий російський фізик академік Жорес Іванович Алфьоров, який разом з американцями Г. Кремером і Д. Кілбі став лауреатом Нобелівської премії з фізики 2000 р. Фізикою напівпровідників і квантовою електронікою вчений займається вже 40 років. Нині він є віце-президентом РАН і очолює Санкт- Петербурзький фізико-технічний інститут ім. А. Ф. Іоффе. Друкуємо прочитану в Києві нобелівську лекцію Ж. І. Алфьорова з незначними скороченнями.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Вісник НАН України
dc.subject	Нобелівські лауреати	uk_UA
dc.title	Напівпровідникові гетероструктури	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA