Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами

dc.contributor.author	Кондрат, А.Б.
dc.contributor.author	Довгошей, Н.И.
dc.contributor.author	Поляк, Я.М.
dc.contributor.author	Сидор, Ю.Й.
dc.contributor.author	Повч, Р.М.
dc.date.accessioned	2014-11-15T18:50:14Z
dc.date.available	2014-11-15T18:50:14Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами / А.Б. Кондрат, Н.И. Довгошей, Я.М. Поляк, Ю.Й. Сидор, Р.М. Повч // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 20-24. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70888
dc.description.abstract	Разработаны новые гетероструктуры со стабильными во времени параметрами и характеристиками. Исследованы вольт-амперные характеристики Ge₃₃As₁₂Se₅₅—X—n-Si (X—промежуточный нанослой Sb, Bi, In и Pb) с контактами Al; p-Si, пленок Ge₃₃As₁₂Se₅₅ и гетероструктур p-Si – Ge₃₃As₁₂Se₅₅ с блокирующими (In) и инжектирующими (Sb) контактами. ВАХ и ВФХ исследованы в области напряжений от 0,01 до 1,00 В. Показано существенное влияние нанесенных нанослоев на механизм переноса носителей заряда через исследуемую структуру.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микроэлектроника	uk_UA
dc.title	Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	539.21:537.1