Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы

dc.contributor.author	Викулина, Л.Ф.
dc.contributor.author	Храмов, Е.Ф.
dc.date.accessioned	2014-11-15T16:43:59Z
dc.date.available	2014-11-15T16:43:59Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы / Л.Ф. Викулина, Е.Ф. Храмов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 49-50. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70878
dc.description.abstract	Исследовано влияние γ-излучения на параметры магнитоуправляемых переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения уменьшается эдс Холла, входящего в схему датчика, а также коэффициенты передачи по току транзисторов, что приводит к увеличению пороговой индукции магнитного поля Вп, при достижении которой происходит переключение. Предложен схемный метод компенсации изменения указанных величин, что позволяет создавать микросхемы со стабильным значением Вп.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Компоненты для электронной аппаратуры	uk_UA
dc.title	Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382