Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe

dc.contributor.author	Байдуллаева, А.
dc.contributor.author	Власенко, А.И.
dc.contributor.author	Ломовцев, А.В.
dc.contributor.author	Мозоль, П.Е.
dc.date.accessioned	2014-11-15T14:26:10Z
dc.date.available	2014-11-15T14:26:10Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70860
dc.description.abstract	Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью обусловлено образованием слоя Те на поверхности образцов в результате лазерного облучения.	uk_UA
dc.description.abstract	The volt-current characteristics of n- and р-type CdTe single crystals and polycrystals have been investigated. The effect of switching with memory after samples irradiation by laser pulses has been seen. The switching time is about 10—100 ns. It has been established that the apperance of switching effect with memory was motivated by the formation of Te layer on the surface of samples as the result of laser irradiation.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Сенсоэлектроника	uk_UA
dc.title	Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe	uk_UA
dc.title.alternative	Creation of switching elements with memory on the base of CdTe crystals	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.315.592