Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников

Abstract

Разработаны малогабаритные длинноволновые (λ=5–14 мкм) источники ИК-излучения, работающие при комнатной и более высоких температурах. Источники генерируют положительные и отрицательные световые потоки относительно уровня фонового излучения. Конструкция дает возможность работать с охлажденными фотоприемниками при температуре источника, равной окружающей среде, как с обычными люминесцентными светодиодами. Обсуждается область использования источников.

The small-outline (λ=5–14 mm) infrared sources operating at room and higher temperatures have been developed. The sources generate positive and negative light flows relative to level of background radiation. The design allows to operate with cooled light sensors at source temperature that is equal to the ambient temperature as with the ordinary luminescent light-emitting diodes. The fields of application of sources are discussed.