Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe

Завадский, В.А. ; Зубарев, В.В. ; Мокрицкий, В.А.

Інші назви: The irradiation of IR-photoreceivers based on CdHgTe

Тема: Материалы для микроэлектроники

УДК: 621.37/39.193:539.216:539.211

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70852

Посилання: Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe / В.А. Завадский, В.В. Зубарев, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 4-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Дата: 2001

Завантажень: 442

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe

Анотація:

Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и сопротивления при облучении дозами 10¹³–10¹⁵ см⁻² и выше.

The research of influence of radiation processing by high-energy electrons on photoreceivers on the base of cadmium—mercury—tellurium composition at 80 and 120 K temperature has been curried out. The analysis of dose dependence of dark current and resistance at irradiation by 10¹³–10¹⁵ cm⁻² doses and more has been given.

Показати повний запис статті