Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации

dc.contributor.author	Белоус, А.И.
dc.contributor.author	Ефименко, С.А.
dc.contributor.author	Калошкин, Э.П.
dc.contributor.author	Карпов, И.Н.
dc.contributor.author	Пономарь, В.Н.
dc.contributor.author	Прибыльский, А.В.
dc.date.accessioned	2014-11-15T10:44:21Z
dc.date.available	2014-11-15T10:44:21Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации / А.И. Белоус, С.А. Ефименко, Э.П. Калошкин, И.Н. Карпов, В.Н. Пономарь, А.В. Прибыльский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 23-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70836
dc.description.abstract	Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия локальных дефектов (разрывов в слое охранного р⁺-кольца) и каналов тока утечки между коллектором и эмиттером отдельных транзисторов Шоттки из-за локальных смыканий эмиттерных областей транзистора с областью изолирующего диэлектрика. Предложен метод радиационно-термической отбраковки дефектных ИС с пониженной радиационной стойкостью. Выбраны оптимальные режимы обработки и восстановительного отжига, не ухудшающие надежностные характеристики ИС.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Качество. Надежность	uk_UA
dc.title	Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.3.04.774.3:539.16.04