Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Мокрицкий, В.А. |
|
dc.contributor.author |
Завадский, В.А. |
|
dc.date.accessioned |
2014-11-15T08:37:00Z |
|
dc.date.available |
2014-11-15T08:37:00Z |
|
dc.date.issued |
2001 |
|
dc.identifier.citation |
Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры / В.А. Мокрицкий, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 25-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70825 |
|
dc.description.abstract |
Исследовано влияние радиационной обработки быстрыми электронами и быстрыми нейтронами на полупроводниковые микросхемы, используемые в качестве первичных преобразователей температуры, и гибридные микросборки, предназначенные для измерения и стабилизации температуры первичных преобразователей неэлектрических величин. Предложена технология радиационной обработки быстрыми электронами исследованных полупроводниковых микросхем, позволяющая в зависимости от величины дозы повысить температурный коэффициент напряжения первичных преобразователей на 10-20%. Определены пороговые дозы радиационного воздействия быстрыми электронами и быстрыми нейтронами, которые обеспечивают улучшение качества гибридных микросборок. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Технология производства |
uk_UA |
dc.title |
Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
621.37/39.193:539.216:539.211 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті