Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС

dc.contributor.author	Вербицкий, В.Г.
dc.contributor.author	Золотаревский, В.И.
dc.contributor.author	Николаенко, Ю.Е.
dc.contributor.author	Самотовка, Л.И.
dc.contributor.author	Товмач, Е.С.
dc.date.accessioned	2014-11-13T19:51:19Z
dc.date.available	2014-11-13T19:51:19Z
dc.date.issued	2002
dc.identifier.citation	Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 48-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70809
dc.description.abstract	Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное функциональное назначение, как от внутренних (в КМОП БИС), так и от внешних дестабилизирующих факторов.	uk_UA
dc.description.abstract	Some peculiarities of a design of electrical scheme are considered: in part of a quarantee of correct function of high voltage CMOS LSIC of analog switch with a control and multiplexers by means of a defence of electrical scheme, whiche given functional purpose fulfils.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Интегральные схемы и полупроводниковые приборы	uk_UA
dc.title	Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС	uk_UA
dc.title.alternative	Constructive and technological limitations for a design of high voltage CMOS LSIC	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382 (088-8)