Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей

dc.contributor.author	Масенко, Б.П.
dc.date.accessioned	2014-11-13T19:42:10Z
dc.date.available	2014-11-13T19:42:10Z
dc.date.issued	2002
dc.identifier.citation	Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей / Б.П. Масенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70805
dc.description.abstract	Рассмотрено получение методом Степанова поликристаллических полых кремниевых призм (ПКП), пригодных для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Экспериментально исследована и проанализирована структура граней ПКП в зависимости от тепловых условий выращивания.	uk_UA
dc.description.abstract	Reception of polycrystalline hollow silicon prisms (HSP) by Stepanov method suitable for solar cells manufacturing is considered. The structure of HSP facet is experimentally investigated and analysed depending on growth thermal conditions.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Энергетическая микроэлектроника	uk_UA
dc.title	Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей	uk_UA
dc.title.alternative	Hollow silicon prisms manufacturing conditions for solar cells application	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.315.592