Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем

dc.contributor.author	Искендер-заде, З.А.
dc.contributor.author	Касимов, Ф.Д.
dc.contributor.author	Исмайлова, С.А.
dc.date.accessioned	2014-11-13T06:16:53Z
dc.date.available	2014-11-13T06:16:53Z
dc.date.issued	2002
dc.identifier.citation	Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70789
dc.description.abstract	Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технология производства	uk_UA
dc.title	Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382.002