Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе

dc.contributor.author	Касимов, Ф.Д.
dc.contributor.author	Лютфалибекова, А.Э.
dc.date.accessioned	2014-11-13T06:05:22Z
dc.date.available	2014-11-13T06:05:22Z
dc.date.issued	2002
dc.identifier.citation	Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 13-15. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70781
dc.description.abstract	Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Электронная аппаратура: исследования, разработки	uk_UA
dc.title	Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.315.592