Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур

dc.contributor.author	Лебедева, Т.С.
dc.contributor.author	Шпилевой, П.Б.
dc.contributor.author	Войтович, И.Д.
dc.date.accessioned	2014-11-11T06:43:36Z
dc.date.available	2014-11-11T06:43:36Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур / Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, И.Д. Войтович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 5. — С. 42-46. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70698
dc.description.abstract	Приведены основы метода контролируемого анодного окисления ("анодной спектроскопии"), методики его применения, результаты исследований многослойных тонкопленочных структур. Получены и проанализированы профили анодирования структур, сформированных при осаждении пленок Nb и Al электронно-лучевым способом и магнетроном, с формированием барьерного оксида AlOx термическим окислением и в тлеющем разряде магнетрона. Продемонстрировано применение метода для контроля формирования наноструктурированных анодных пленок оксида алюминия. Показана плодотворность метода для экспресс-контроля тонкопленочных технологий.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технология производства	uk_UA
dc.title	Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	539.216.2:691.5